Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Kotyk M$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5
|
1. |
Novosyadlyj S. Research into constructive and technological features of epitaxial gallium-arsenide structures formation on silicon substrates [Електронний ресурс] / S. Novosyadlyj, B. Dzundza, V. Gryga, S. Novosyadlyj, M. Kotyk, V. Mandzyuk // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2017. - № 3(5). - С. 54-61. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2017_3(5)__9 Проведено аналіз складних структур різної архітектури IC/BIC на епішарах GaAs, сформованих на Si-підкладках. Вияснено вплив процесів розсіюваних носіїв заряду на флуктуаціях потенціалу на величину і профіль рухливості електронів по товщині епітаксіальної структури. Експериментально показано, що підвищення крутизни в транзисторах Шотткі на основі структур із заглибленими шарами можливе за зниження опору паразитних областей затвор-стік, затвор-витік.
| 2. |
Novosiadlyi S. Formation of carbon films as the subgate dielectric of GaAs microcircuits on Si-substrates [Електронний ресурс] / S. Novosiadlyi, M. Kotyk, B. Dzundza, V. Gryga, S. Novosiadlyi, V. Mandzyuk // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2017. - № 5(5). - С. 26-34. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2017_5(5)__5 Розглянуто технологічні аспекти формування тонких карбонових плівок <$E alpha>-C:H, особливості іонно-плазмових спектрів Q-DLТS гетероструктур <$E alpha>-C:H-Si та <$E alpha>-C:H-GaAs і визначено енергію активації, переріз захоплення та густину глибоких пасток, відповідальних за зарядовий стан. Встановлено кореляцію між технологічними режимами формування плівок <$E alpha>-C:H і густиною пасток. Визначено технологічні методи та режими, які надають можливість одержувати структури з відносно невеликою густиною поверхневих станів (NПС) <<= 10<^>12 см<^>-2, що надає можливість використання цих структур в ролі підзатворного діелектрика в GaAs-KMOH структурних ВІС.
| 3. |
Novosiadlyi S. Development of technology of superconducting multilevel wiring in speed gaas structures of LSI/VLSI [Електронний ресурс] / S. Novosiadlyi, M. Kotyk, B. Dzundza, V. Gryga, S. Novosiadlyi, V. Mandzyuk // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2018. - № 1(5). - С. 53-62. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2018_1(5)__8 Розглянуто технологічні аспекти використання надпровідних матеріалів і показано можливість виготовлення мішеней для магнетронного осадження плівок для формування кріопровідної розводки в структурах ВІС на основі GaAs. Визначено технологічні методи та режими осадження та розроблено високоефективну технологію виготовлення кріосплавів на основі Al, Nb, V з домішками Si, Ge та РЗМ і магнетронного формування надпровідних плівок із сплавів алюмінію, ніобію та ванадію.
| 4. |
Kotyk M. Lighting instalations for plants lightculture with additional impulsive radiation [Електронний ресурс] / M. Kotyk, V. Andriychuk, A. Herts // Вісник Тернопільського національного технічного університету. - 2018. - № 4. - С. 91-97. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/tstub_2018_4_12
| 5. |
Budnyk O. Use of Information and Communication Technologies in the Inclusive Process of Educational Institutions [Електронний ресурс] / O. Budnyk, M. Kotyk // Journal of Vasyl Stefanyk Precarpathian National University. Series of social and human sciences. - 2020. - Vol. 7, no. 1. - С. 15-23. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jovspnu_2020_7_1_4
|
|
|